Intel’in gelecek nesil üretim teknolojileriyle ilgili yeni bilgiler ortaya çıktı. Åžirketin, standart 14A üretim sürecinin ardından daha geliÅŸmiÅŸ 14A2 isimli yeni bir varyant üzerinde çalıştığı belirtiliyor. Yeni süreç, özellikle TSMC ve Samsung’un 1.4 nm teknolojilerine karşı rekabet gücünü artırmayı amaçlıyor. Intel’den 14A2 süreci geliyor
Sektör kaynaklarına göre Intel’in 2027 yılında devreye almayı planladığı 14A sürecinin ardından gelecek 14A2, mevcut tasarımı daha da optimize eden bir üretim teknolojisi olacak. En dikkat çekici yenilik ise güç dağıtım mimarisinde yapılacak deÄŸiÅŸiklik.
Standart 14A sürecinde yalnızca arka taraftan güç iletimi saÄŸlayan Backside Power Delivery Network (BSPDN) teknolojisini kullanan Intel’in, 14A2 ile hem ön hem de arka katmandan güç iletimi saÄŸlayan çift taraflı güç dağıtım mimarisine geçmeyi planladığı paylaşıldı. Bu sayede güç dağıtımı daha verimli hale gelirken performansın artırılması hedefleniyor.
Bunun yanında metal bağlantı aralıklarının da daha da küçültüleceği belirtiliyor. Temel 14A sürecinde 28 nm seviyesine düşürülen bağlantı aralığının, 14A2 ile yaklaşık 21 nm seviyesine indirileceği paylaşıldı. Bu değişiklik, transistör yoğunluğunu artırırken daha yüksek performans ve enerji verimliliği sağlayabilir.
Ancak bu kadar yüksek yoÄŸunluk bazı teknik zorlukları da beraberinde getiriyor. Daha küçük baÄŸlantı yapıları elektrik direncini artırabileceÄŸi için Intel’in, arka taraftaki BSPDN yapısını ana güç kaynağı olarak kullanırken ön taraftaki metal katmanlarını da destekleyici ÅŸekilde devreye alan hibrit bir tasarım üzerinde çalıştığı belirtiliyor. 
